Security Controller | S9S NAND Flash Memory Controller
Secure & Reliable SD, microSD NAND Flash Controller for SD Cards, DoB and eSD Storage Systems- 旨在完全满足工业要求
- 内建先进的安全性功能 (McEx 1.1, ASSD 3.0, DPS 1.01)
- 具有优化指令集的 32 位内核微处理器和用于闪存处理的附加硬件加速器
- hyMap®基于子页面（sub-page)的客制化闪存转换层 (FTL) 可实现最佳的随机写入性能、最小的写入放大，因此无需外部 DRAM 即可实现最高的耐用性
- FlashXE® eXtended Endurance读取通道针对每个闪存、先进ECC算法和软译码功能、读取重试、RAID 和数据恢复功能进行了调整和优化，以确保尽可能低的读取错误率和最大的耐用性
- 持续更新的闪存支持
- hyReliability™闪存管理，包括卓越的磨损均衡、读取干扰管理、动态数据刷新和电源故障管理，确保最高的可靠性和耐用性
- 针对辐射和软错误的先进保护，包括SRAM ECC和低alpha封装
- 先进的安全和加密功能
- 通过固件API进行自定义固件扩展和功能开发
- 统包解决方案，包括固件、制造套件、测试和开发硬件、参考原理图以及健康监测工具
S9S - 安全产品信息
目标应用
- 用于安全应用的SecureDigital (SD)卡
- 用于安全应用的microSD和Smart microSD
- 安全的板载应用程序
产品性能
- 连续读取高达 90MB/s
- 连续写入高达 90MB/s
- 持续 4K 随机写入超过 7.5MB/s
主机接口&兼容
- 符合SD物理层规范版本 3.01 至 7.1
- 可支持CPRM和ASSD 3.0
- 支持DS、HS、SDR12、SDR25、SDR50、SDR104 和 DDR50传输模式
- SDR104 模式下主机传输速率高达104 MByte/s
- 对C2加密和解密例程 (CPRM) 的硬件支持
- SD 3.0 传输模式下用于 1.8V 信号电压的片上稳压器
闪存管理
- hyReliability™闪存管理：卓越的磨损均衡、读取干扰管理和电源故障管理，以确保最高的可靠性和耐用性
- hyMap®基于子页面的客制化闪存转换层 (FTL) 可实现最佳的随机写入性能、最小的写入放大，从而为强调随机存取的使用配置文件提供最高的耐用性（例如 JEDEC 企业工作负载）
- 用于 SLC 缓存、过度配置、RAID 保护和性能调整的灵活预格式化设置，包括针对快速启动时间的优化
- 先进的热管理功能可在扩展温度下最大限度地提高性能和数据保护
- 静态、动态和全局磨损均衡
- 坏块管理、智能垃圾收集和支持交错、缓存和多平面编程
- 读干扰管理和动态数据刷新
- 一流的电源故障管理
- 固件冗余存储，用于恢复和刷新以及现场固件更新，而不会丢失用户数据
- 安全擦除、快速擦除和安全修改
- 通过固件 API 进行自定义固件扩展和功能开发，包括先进安全支持和智能卡芯片启动
- 可依照要求自定义固件、优化和功能实现
控制器&微处理器
- 基于Hyperstone架构的高性能微处理器内核
- 通过内部振荡器和 PLL 发展灵活的时钟频率
- 10个GPIO引脚为连接额外逻辑提供灵活性
- 特殊GPIO传输模式包括 ISO7816、I2C 和 SPI
- AES-128和AES-256支持CBC和XTS模式
- SHA-256 哈希引擎和硬件RNG
- PKA 单元，支持椭圆曲线加密算法和RSA
- 片上温度传感器
- 在等待主机数据或闪存操作完成期间的自动断电模式，在主机不活动期间的自动睡眠模式
- 电源电压断电检测可实现完全断电稳健性
- 用于 1.1V 处理器内核电源的片上稳压器
闪存 & 界面管理
- 支持传统异步、切换模式和 ONFI NAND
- 支持ONFI SDR、NV-DDR、NV-DDR2 和 NV-DDR3 传输模式
- 闪存的数据传输速率高达 400 MByte/s
- 灵活内部存储器中的页面缓冲区可实现最佳闪存信道性能
- 支持闪存连接的所有控制信号
- 支持多达4个闪存片选
- 支持高达 16 KB 的闪存页面大小
- 固件支持持续更新所有可用技术，包括SLC、pSLC、MLC、pMLC和3D TLC 以及下一代 NAND 闪存
- FlashXE® eXtended Endurance读取通道针对每个闪存、具有软信息解碼、读取重试、RAID和数据恢复功能的先进ECC算法进行了优化，以确保尽可能低的读取错误率和最大的耐用性
- 闪存断电逻辑和闪存写入保护控制
- 闪存中的固件存储，由boot ROM加载到内部存储器
- 用于 1.2V/1.8V闪存I/O 电源的片上稳压器
Block Diagram
购买信息
- S9-LASK08 - (LGA 64, 7.5 x 4 x 0.7mm, 4CEs, RoHs, -40 to +85 °C)
如需芯片/晶圆和客制化microSD 卡，请联系sales team.
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