SD控制器 | S9 NAND快閃記憶體控制器
用於SD卡、DoB和eSD存儲系統的可靠 SD & microSD NAND閃存控制器Hyperstone S9系列快閃記憶體控制器連同韌體,為工業、高耐用性和強大的快閃記憶卡或嵌入式存儲解決方案提供了易於使用的整體解決方案,與SD相容,最高可達 SD 7.1 界面標準。
- 專為滿足工業要求而設計
- 32位微處理器核心,具有優化的指令集和用於快閃記憶體處理的附加硬體加速器
- hyMap®基於子頁面(sub-page)的客製化快閃記憶體轉換層 (FTL) 可實現最佳的隨機寫入性能、最小的寫入放大,因此無需外部 DRAM 即可實現最高的耐用性
- FlashXE® eXtended Endurance讀取通道針對每個快閃記憶體、高級 ECC 算法和軟解碼功能、讀取重試、RAID 和數據恢復功能進行了調整和優化,以確保最小可能的讀取錯誤率
- 持續更新的快閃記憶體支援
- hyReliability™快閃記憶體管理,包括卓越的磨損均衡、讀取干擾管理、動態數據刷新和電源故障管理,確保最高的可靠性和耐用性
- 針對輻射和軟錯誤的先進保護,包括 SRAM ECC 和low-alpha封裝
- 整體解決方案,包括韌體、製造套件、測試和開發硬體、參考線路圖以及健康監測工具
S9產品信息
目標應用程式
- SecureDigital (SD) cards
- microSD cards
- Disk-on-board
產品性能
- 連續讀取高達 90MB/s
- 連續寫入高達 90MB/s
- 持續 4K 隨機寫入超過 7.5MB/s
主機介面&相容
- 符合 SD 物理層規範版本 3.01 至 7.1
- 可支援CPRM
- 支援DS、HS、SDR12、SDR25、SDR50、SDR104 和 DDR50 傳輸模式
- SDR104 模式下主機傳輸速率高達 104 MByte/s
- 對 C2 加密和解密例程 (CPRM)的硬體支援
- 用於 1.8V 閃存 I/O 電源的片上穩壓器
快閃記憶體管理
- hyReliability™閃存管理:卓越的磨損均衡、讀取干擾管理和電源故障管理,以確保最高的可靠性和耐用性
- hyMap®基於子頁面的客製化閃存轉換層 (FTL) 可實現最佳的隨機寫入性能、最小的寫入放大,從而為強調隨機存取的使用配置文件提供最高的耐用性(例如 JEDEC 企業工作負載)
- 用於 SLC 緩存、過度配置、RAID 保護和性能調整的靈活預格式化設置,包括針對快速啟動時間的優化
- 先進的熱管理功能可在擴展溫度下最大限度地提高性能和數據保護
- 靜態、動態和全局磨損均衡
- 壞塊管理、智能垃圾收集和支援交錯、緩存和多平面編程
- 讀干擾管理和動態數據刷新
- 同類產品中最佳的電源故障管理
- 固件冗餘存儲,用於恢復和刷新以及現場固件更新,而不會丟失用戶數據
控制器&微處理器
- 基於Hyperstone架構的高性能微處理器內核
- 通過內部振盪器和PLL發展靈活的時鐘頻率
- 片上溫度傳感器
- 在等待主機數據或閃存操作完成期間的自動斷電模式,在主機不活動期間的自動睡眠模式
- 電源電壓斷電檢測可實現完全斷電穩健性
- 用於 1.1V 處理器內核電源的片上穩壓器
快閃記憶體 & 介面管理
- 支援傳統異步、切換模式和 ONFI NAND
- 支援ONFI SDR、NV-DDR、NV-DDR2 和 NV-DDR3 傳輸模式
- 閃存的數據傳輸速率高達 400 MByte/s
- 靈活內部存儲器中的頁面緩衝區可實現最佳閃存通道性能
- 支援閃存連接的所有控制信號
- 支援多達4個快閃記憶體片選
- 支援高達 16 KB 的閃存頁面大小
- 固件支援持續更新所有可用技術,包括SLC、pSLC、MLC、pMLC和3D TLC 以及下一代 NAND 閃存
- FlashXE® eXtended Endurance讀取通道針對每個閃存、具有軟信息解碼、讀取重試、RAID和數據恢復功能的先進ECC算法進行了優化,以確保盡可能低的讀取錯誤率和最大的耐用性
- 快閃記憶體斷電邏輯和快閃記憶體寫入保護控制
- 快閃記憶體中的固件存儲,由boot ROM加載到內部存儲器
- 用於 1.2V/1.8V快閃記憶體I/O 電源的片上穩壓器
Block Diagram
購買資訊
- S9-LAK08 (LGA 64, 7.5 x 4 x 0.7mm, 4CEs, RoHs, -40 to +85 °C)
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